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电机过载运行，使电流增加，转速降低，耗损加大。绕组接线错误或发生短路时，均会使电动机过热而损坏，为了避免电机烧毁，在运行中的电动机应进行必要的监测：电源电压变化情况。与额定值偏差不超过正负百分之五。三相电压不平衡度不大于正负百分之五。常检查电机三相电流是否平衡。其三相电流任何一相电流与其他两相电流平均值差不超过1%；如果超过则表明电机有故障，应保持在额定电流下运行。观察电机有无振动，噪音和异常气味。
随着科学技术的进步，20世纪80年代以来，有4种软电离技术产生，分别为等离子体解吸（PD-MS）、快原子轰击（FAB ）、电喷雾（ESI ）和基质辅助激光解吸/电离（MALDI）。
等离子体解吸的原理是：采用放射性同位素的核裂变碎片作为初级粒子轰击样品使其电离，样品以适当溶剂溶解后涂布于0.5-1µm 厚的铝或镍箔上，核裂变碎片从背面穿过金属箔，把大量能量传递给样品分子，使其解吸电离。在制备样品时，采用硝化纤维素作为底物使得PD-MS 可用以分析分子量高达14 000 的多肽和蛋白质样品。
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IHF氟塑料离心泵----是基于IH泵基础上的新一代耐腐蚀离心泵，它集多种化工泵之优点，适用于-2℃～15℃温度的条件下，长期输送任意浓度的各种酸，氧化剂等多种腐蚀性介质，叶轮及泵盖均采用金属嵌件外包氟塑料合金（卧龙泵阀引进的材料F4+F46），泵体采用金属外壳内衬氟塑料合金（F46+F4），足以承受管道的重量及抵受机械性冲击，轴封采用*的外装式波纹管机械密封，静环选用99.9%氧化铝陶瓷，动环采用四氟填充材料，其特点是耐腐耐磨密封性好。
快原子轰击的原理是，一束高能粒子，如氩、氙原子，射向存在于液态基质中的样品分子而得到样品离子，这样可以得到提供分子量信息的准分子离子峰和提供化合物结构信息的碎片峰。快原子轰击操作方便、灵敏度高、能在较长时间里获得稳定离子流。当用于绝大多数生物体中寡糖及其衍生物的分析时，可测分子量达6000。而且在该质量范围内，其灵敏度远高于在15000 范围
质谱仪
内新一代全加速仪器的灵敏度。此外，Camim 等采用FAB-MS 分析从Hafnia alvei中得到的四个寡糖组分，检测到了NMR 不能观测到的寡糖、并揭示了寡糖结构的非均一性。
电喷雾电离的原理是：喷雾器顶端施加一个电场给微滴提供净电荷；在高电场下，液滴表面产生高的电应力，使表面被破坏产生微滴；荷电微滴中溶剂的蒸发；微滴表面的离子“蒸发"到气相中，进入质谱仪。为了降低微滴的表面能，加热至200～250℃，可使喷雾效率提高。FAB-MS 可以显示碎片离子，但只能产生单电荷离子，因此不适用于分析分子量超过分析器质量范围的分子。ESI 可以产生多电荷离子，每一个都有准确的小m/z 值。此外还可以产生多电荷母离子的子离子，这样就可以产生比单电荷离子的子离子更多的结构信息。而且，ESI-MS 可以补充或增强由FAB 获得的信息，即使是小分子也是如此。
PH复合电极和PH固态电极，如图此电位差遵循能斯特公式：E=E+RT——1naH3O+nFE=59.16mv/25℃perpH式中R和F为常数，n为化合价，每种离子都有其固定的值。对于氢离子来讲n=1。温度“T"做为变量，在能斯特公式中起很大作用。随着温度的上升，电位值将随之增大。对于每1℃的温度变大，将引起电位.2mv/perpH变化。用pH值来表示则每1℃第1pH变化.33pH值。
质谱仪
基质辅助激光解吸离子化质谱（Matrix-assisted laser desorption ionization mass spectrometry，MALDI-MS) 是20世纪80 年代末问世并迅速发展起来的质谱分析技术。这种离子化方式产生的离子常用飞行时间(time of flight，TOF)检测器检测，因此MALDI常与TOF一起称为基质辅助激光解吸离子化飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS)。MALDI-TOF-MS技术，使传统的主要用于小分子物质研究的质谱技术发生了革命性的变革，从此迈入生物质谱技术发展新时代。该技术的特点是采用被称为“软电离"方式，一般产生稳定分子离子，因而是测定生物大分子分子量的有效方法，广泛地运用于生物化学，尤其对蛋白质、核酸的分析研究已经取得了突破性进展。MALDI-MS 在糖研究中的应用，也显示出一定的潜力和应用前景。另外在高分子化学、有机化学、金属有机化学、药学等领域也显示出*的潜力和应用前景，已经成为广大科技工作者研究于分析大分子分子质量、纯度、结构的理想工具。其广泛应用于生物化学领域，
按【停止/确定】保存设置。3破型判断值设置屏幕显示配置参数界面时，按【处理/】键，移动左侧光标定位在破型判断行。按【结果/】左移一位增加位数或按【自动点动/】右移一位减少位数，选择要调整的位。按【返回/】或【试验/】修改该值，按【停止/确定】保存设置。4轴向加力值设置屏幕显示配置参数界面时，按【处理/】键，移动左侧光标定位在轴向加力行。按【结果/】左移一位增加位数或按【自动点动/】右移一位减少位数，选择要调整的位。
